База ГОСТов

Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОНИКА → Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045 → Транзисторы

31.080.30. Транзисторы

← 1 2 3 4 5

• ГОСТ 20398.11-80.

  действующий

  от: 22.03.2010
  Название: Транзисторы полевые. Метод измерения э.д.с. шума
  Название (англ): Field-effect transistors. Short-circuit equivalent input noise voltage measurement technique
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения э.д.с. шума
  
• ГОСТ 20398.12-80.

  действующий

  от: 22.03.2010
  Название: Транзисторы полевые. Метод измерения остаточного тока стока
  Название (англ): Field-effect transistors. Drain residual current measurement technique
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения остаточного тока стока, не превышающего 100 мА
  
• ГОСТ 20398.13-80.

  действующий

  от: 22.03.2010
  Название: Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток-исток
  Название (англ): Field-effect transistors. Drain source resistance measurement technique
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения сопротивления сток-исток в открытом состоянии транзистора
  
• ГОСТ 20398.14-88.

  действующий

  от: 22.03.2010
  Название: Транзисторы полевые. Метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия стока
  Название (англ): Field-effect transistors. Method of measuring output power, power gain and drain efficiency
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на мощные высокочастотные и сверхвысокочастотные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия стока в схеме генератора с независимым возбуждением
  
• ГОСТ 27264-87.

  действующий

  от: 22.03.2010
  Название: Транзисторы силовые биполярные. Методы измерений
  Название (англ): Power bipolar transistors. Measurement methods
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на силовые биполярные транзисторы, в том числе составные, на токи 10 А и более и устанавливает методы измерений электрических, тепловых параметров и проверок предельно допустимых значений параметров
  

← 1 2 3 4 5