База ГОСТов

Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОНИКА → Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045 → Полупроводниковые приборы прочие

31.080.99. Полупроводниковые приборы прочие

• ГОСТ 19834.0-75.

  действующий

  от: 22.03.2010
  Название: Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров
  Название (англ): Semiconductor emitters. Methods for measurement of parameters. General principles
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели и устанавливает положения, общие для стандартов на методы измерений спектрофотометрических, преобразовательных и электрических параметров полупроводниковых излучателей. Стандарт входит в комплекс государственных стандартов на методы измерения параметров полупроводниковых излучателей
  
• ГОСТ 19834.2-74.

  действующий

  от: 22.03.2010
  Название: Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости
  Название (англ): Semiconductor emitters. Methods for measurement of radiant intensity and radiance
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения, в том числе бескорпусные и устанавливает методы измерения силы излучения: метод непосредственной оценки;
  метод замещения;
  методы измерения энергетической яркости: прямой и косвенный
  
• ГОСТ 19834.3-76.

  действующий

  от: 22.03.2010
  Название: Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения
  Название (англ): Semiconductor emitters. Methods for measuring of relative spectral energy distribution and spectral bandwidth
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения и устанавливает метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения
  
• ГОСТ 24352-80.

  действующий

  от: 22.03.2010
  Название: Излучатели полупроводниковые. Основные параметры
  Название (англ): Semiconductor photoemitters. Main parameters
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые полупроводниковые оптоэлектронные излучатели: инфракрасные излучающие диоды и светоизлучающие диоды и устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров